10W gain TD à bande large LTE 1500MHz 10W OFDM de la puissance élevée 55dB
L'amplificateur de puissance de LTE est une solution idéale pour des applications de transmission de données dues à sa puissance élevée, représentation à faible bruit. Il comporte une alimentation de l'énergie 28V, un gain de plus que 55dB, une efficacité de plus de 26%, et une température ambiante de -20 à 65 degrés de Celsius. Il est capable d'amplifier un signal d'OFDM avec une puissance d'entrée de -10dBm à 0dBm. En plus, il a une linéarité élevée qui le rend approprié pour l'usage dans un grand choix d'applications. Avec sa conception robuste, il peut fournir la représentation fiable même en conditions extrêmes.
Article | Spécifications |
---|---|
Plage de fréquence | 1200 - 1500MHz |
De puissance de sortie | 40dBm |
Gain de Tx | 55 ± 1 (DB) |
Gain de Rx | 10 ± 1 (DB) |
Planéité de gain | 2,0 (DB) de crête à crête au-dessus de la bande de Freq |
Stabilité de gain | ± 1,5 (DB) au-dessus de Temp |
In/Out VSWR | Moins que le 1.5:1 |
Courant de C.C | 2,8 (a) |
Taille (DxWxH) | 170x110x20 (millimètre) |
In/Out Commector | MCX/SMA |
À retard de temps | ≤2 (nous) |
Temp d'opération. | -20 | +65 (°C) |
Carte d'entrée-sortie | Socket1x10Pin 1.25mm
PRISE de PUISSANCE 1x4Pin 2.54mm
Borne 1,2 : LA terre
Pin 3,4:28V
PRISE 2x3Pin 2.0mm de contrôle
Borne 1,3,6 : OR
Borne 2 : LNA_EN
Borne 4 : LA terre
Borne 5 : PA_EN
|
Tension d'alimentation | 28V |
Mode de travail | Signal de TDD OFDM |
L'amplificateur de puissance de MXT LTE fournit une solution élevée de linéarités pour des applications du TD LTE. Avec un gain de >55dB, une plage de fréquence à partir de 1200 mégahertz à 1500MHz, un chiffre de bruit <3db>de 40dBm, une température ambiante de -20℃ à +65℃, et une représentation linéaire élevée, c'est le choix idéal pour n'importe quelle application de LTE.
Si vous recherchez la couverture améliorée, les débits accrus, ou le meilleur rapport signal/bruit, l'amplificateur de puissance de MXT LTE fournit une solution élevée de linéarités pour des applications du TD LTE. Sa puissance à haute production et linéarités élevées lui faire un choix idéal pour toute application de LTE.
L'amplificateur de puissance de MXT LTE est conçu pour répondre aux exigences les plus exigeantes des applications de LTE. L'amplificateur offre d'excellentes linéarités, à gain élevé, et figure à faible bruit, lui permettant de fournir la haute performance pour des applications du TD LTE. Il offre également l'excellente stabilité de température, lui permettant de fonctionner sûrement en états de température extrêmes.
Si vous recherchez une solution fiable et efficace de LTE, l'amplificateur de puissance de MXT LTE est le choix parfait. Sa plage de fréquence à gain élevé et grande, figure à faible bruit, et linéarités élevées lui faire une solution idéale pour toute application du TD LTE.
Nous fournissons le service adapté aux besoins du client d'amplificateur de puissance de rf selon vos conditions. Notre Number modèle est TDD1200T150M 10W-28V qui est fabriqué en Chine. La quantité d'ordre minimum est 2. Le prix est négociable. Cet amplificateur de radio de puissance élevée fonctionne en mode de signal d'OFDM et a un courant d'approvisionnement de 2.8A, et une tension d'alimentation de 28V. Notre amplificateur de puissance d'émetteur est idéal pour des applications d'amplificateur de radio de puissance élevée avec sa représentation élevée de puissance de sortie, à faible bruit et élevée de linéarités.
Appui et services :
Contactez-nous à tout moment