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55dB gagnent la puissance élevée LTE 1500MHz de l'amplificateur de puissance de Digital rf 10W
  • 55dB gagnent la puissance élevée LTE 1500MHz de l'amplificateur de puissance de Digital rf 10W
  • 55dB gagnent la puissance élevée LTE 1500MHz de l'amplificateur de puissance de Digital rf 10W

55dB gagnent la puissance élevée LTE 1500MHz de l'amplificateur de puissance de Digital rf 10W

Lieu d'origine La Chine
Nom de marque MXT
Numéro de modèle TDD1200T1500M 10W-28V
Détails de produit
Plage de fréquence:
1200MHz-1500MHz
Alimentation d'énergie:
28V
Entrée-sortie VSWR:
<1>
Efficacité:
>12 %
Température ambiante:
-20~+65℃
De puissance de sortie:
>40dBm
Chiffre de bruit:
<3db>
Gain:
>55db
Mettre en évidence: 

amplificateur de puissance de 55dB Digital rf

,

Amplificateur de puissance de Digital rf 10W

,

1500MHz amplificateur d'à haute fréquence rf

Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min
2
Prix
negotiable
Délai de livraison
30 jours de travail
Conditions de paiement
L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement
100Sets 30 jours
Description de produit

10W gain TD à bande large LTE 1500MHz 10W OFDM de la puissance élevée 55dB

Description de produit :

L'amplificateur de puissance de LTE est une solution idéale pour des applications de transmission de données dues à sa puissance élevée, représentation à faible bruit. Il comporte une alimentation de l'énergie 28V, un gain de plus que 55dB, une efficacité de plus de 26%, et une température ambiante de -20 à 65 degrés de Celsius. Il est capable d'amplifier un signal d'OFDM avec une puissance d'entrée de -10dBm à 0dBm. En plus, il a une linéarité élevée qui le rend approprié pour l'usage dans un grand choix d'applications. Avec sa conception robuste, il peut fournir la représentation fiable même en conditions extrêmes.

 

Caractéristiques :

  • Nom de produit : Amplificateur de puissance de LTE
  • Alimentation d'énergie : 28V
  • Taille : 170*110*20mm
  • Efficacité : >15%
  • Chiffre de bruit : <3db>
  • Entrée-sortie VSWR : <1>
  • ACPR 31dB
  • Bidirectionnel
  • Lien visuel
 

Paramètres techniques :

Article Spécifications
Plage de fréquence 1200 - 1500MHz
De puissance de sortie 40dBm
Gain de Tx 55 ± 1 (DB)
Gain de Rx 10 ± 1 (DB)
Planéité de gain 2,0 (DB) de crête à crête au-dessus de la bande de Freq
Stabilité de gain ± 1,5 (DB) au-dessus de Temp
In/Out VSWR Moins que le 1.5:1
Courant de C.C 2,8 (a)
Taille (DxWxH) 170x110x20 (millimètre)
In/Out Commector MCX/SMA
À retard de temps ≤2 (nous)
Temp d'opération. -20 | +65 (°C)
Carte d'entrée-sortie Socket1x10Pin 1.25mm
PRISE de PUISSANCE 1x4Pin 2.54mm
Borne 1,2 : LA terre
Pin 3,4:28V
 
PRISE 2x3Pin 2.0mm de contrôle
Borne 1,3,6 : OR
Borne 2 : LNA_EN
Borne 4 : LA terre
Borne 5 : PA_EN
Tension d'alimentation 28V
Mode de travail Signal de TDD OFDM

 

Applications :

L'amplificateur de puissance de MXT LTE fournit une solution élevée de linéarités pour des applications du TD LTE. Avec un gain de >55dB, une plage de fréquence à partir de 1200 mégahertz à 1500MHz, un chiffre de bruit <3db>de 40dBm, une température ambiante de -20℃ à +65℃, et une représentation linéaire élevée, c'est le choix idéal pour n'importe quelle application de LTE.

Si vous recherchez la couverture améliorée, les débits accrus, ou le meilleur rapport signal/bruit, l'amplificateur de puissance de MXT LTE fournit une solution élevée de linéarités pour des applications du TD LTE. Sa puissance à haute production et linéarités élevées lui faire un choix idéal pour toute application de LTE.

L'amplificateur de puissance de MXT LTE est conçu pour répondre aux exigences les plus exigeantes des applications de LTE. L'amplificateur offre d'excellentes linéarités, à gain élevé, et figure à faible bruit, lui permettant de fournir la haute performance pour des applications du TD LTE. Il offre également l'excellente stabilité de température, lui permettant de fonctionner sûrement en états de température extrêmes.

Si vous recherchez une solution fiable et efficace de LTE, l'amplificateur de puissance de MXT LTE est le choix parfait. Sa plage de fréquence à gain élevé et grande, figure à faible bruit, et linéarités élevées lui faire une solution idéale pour toute application du TD LTE.

 

Personnalisation :

Service adapté aux besoins du client d'amplificateur de puissance de rf

Nous fournissons le service adapté aux besoins du client d'amplificateur de puissance de rf selon vos conditions. Notre Number modèle est TDD1200T150M 10W-28V qui est fabriqué en Chine. La quantité d'ordre minimum est 2. Le prix est négociable. Cet amplificateur de radio de puissance élevée fonctionne en mode de signal d'OFDM et a un courant d'approvisionnement de 2.8A, et une tension d'alimentation de 28V. Notre amplificateur de puissance d'émetteur est idéal pour des applications d'amplificateur de radio de puissance élevée avec sa représentation élevée de puissance de sortie, à faible bruit et élevée de linéarités.

 

 

Appui et services :

Support technique et services d'amplificateur de puissance de rf
  • Fournissez les conseils techniques sur l'installation, entretien d'utiliser-et d'amplificateur de puissance de rf.
  • Fournissez le dépannage et les services des réparations.
  • Fournissez les pièces et les composants de rechange.
  • Enquêtes de client de réponse et fournir l'information produit.
  • Fournissez la formation technique pour des clients.
  • Fournissez le service de garantie.
 

 

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